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NP83P04PDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
8
V GS = ? 4.5 V
C iss
10000
6
C oss
4
? 10 V
1000
C rss
2
I D = ? 41.5 A
V GS = 0 V
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
-40
-12
100
t d(off)
t f
-30
V DD = ? 32 V
? 20 V
? 8 V
-9
t d(on)
-20
-6
10
1
V DD = ? 20 V
V GS = ? 10 V
R G = 0 Ω
t r
-10
0
V DS
V GS
I D = ? 83 A
-3
0
-0.1
-1
-10
-100
0
40
80
120
160
200
-1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
-100
100
-10
V GS = ? 10 V
0V
-1
10
-0.1
-0.01
Pulsed
1
di/dt = ? 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18690EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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